Transistor [englisch, Kurzwort aus transfer »Übertragung« und resistor »elektrischer Widerstand«, also

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Transistortypen

Transistoren lassen sich grundsätzlich in bipolare und unipolare Transistoren unterteilen, je nachdem, ob beide Ladungsträgerarten (Elektronen und Löcher) oder nur eine Ladungsträgerart für ihre Funktion notwendig sind.

Unipolare Transistoren: Der wichtigste Vertreter der unipolaren Transistoren ist der Feldeffekttransistor, Abkürzung FET. Kennzeichnend für ihn ist, dass er im Gegensatz zu den bipolaren Transistoren mit gleichgepolten p-n-Übergängen betrieben wird.

Bipolare Transistoren: Der bipolare Transistor besteht im Prinzip aus drei aufeinanderfolgenden Schichten, die abwechselnd als p- und n-leitende Zonen ausgebildet sind. Die Schichtenfolge

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Geschichte und Perspektive

Der Transistor wurde auf der Grundlage der Quantenmechanik der Festkörper 1947/48 von J. Bardeen, W. H. Brattain und W. B. Shockley in den Bell Laboratories erfunden. Seither fand in enger

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Werke

Weiterführende Literatur:

M. Reisch: Halbleiter-Bauelemente (22007);
H. Göbel: Einführung in
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Quellenangabe
Brockhaus, Transistor. http://brockhaus.at/ecs/enzy/article/transistor